SK Hynix supera a Samsung: Cómo la era de la IA y el HBM están reescribiendo el panorama de los semiconductores en Corea

El 22 de junio de 2026, el mercado de capitales de Corea vivió un momento histórico. SK Hynix (000660.KS) alcanzó un precio de acción de 2.95 millones de wones, un máximo histórico, y su valor de mercado tocó los 208.1 billones de wones, superando por primera vez los 207.3 billones de wones de Samsung Electronics (005930.KS). Este fue el primer récord desde noviembre de 2000, cuando Samsung Electronics mantuvo durante 26 años consecutivos la posición de mayor valor de mercado en Corea.

Detrás de este salto histórico, se encuentra una reconfiguración del poder en la industria de chips de almacenamiento impulsada por IA generativa. La memoria de alto ancho de banda (HBM), como componente clave de los aceleradores de IA, está cambiando fundamentalmente la lógica competitiva del mercado tradicional de DRAM. SK Hynix, que durante mucho tiempo fue la segunda en valor de mercado en Corea, ha logrado una victoria parcial en la competencia directa con Samsung Electronics gracias a su apuesta precisa y ventaja de liderazgo en la ruta tecnológica de HBM, además de establecer una posición estratégica insustituible en la cadena de suministro global de almacenamiento de IA. Desde la evolución del mercado de HBM, las diferencias en las rutas tecnológicas de las dos gigantes, la lucha en la cadena de suministro de Nvidia, hasta la lógica de valoración desde la perspectiva de los inversores, se desglosa aquí la lógica profunda de esta alternancia de poder en la industria de semiconductores.

Explosivo crecimiento del mercado de HBM: de nicho estratégico a punto de control

La velocidad de expansión del mercado de HBM está redefiniendo la curva de crecimiento de toda la industria de chips de almacenamiento. Datos de la industria muestran que en 2026, el tamaño del mercado global de HBM alcanzará aproximadamente 54.600 millones de dólares, un aumento del 58% respecto a los 34.600 millones de dólares de 2025. Este volumen representa casi el 40% del mercado total de DRAM. La Organización de Estadísticas del Comercio Mundial de Semiconductores (WSTS) predice que en 2026, el mercado global de semiconductores alcanzará los 97.500 millones de dólares, con la participación de HBM en rápida escalada.

Desde la demanda, la aceleración en las plataformas Blackwell y Rubin de Nvidia, junto con la tendencia global de los CSP (proveedores de servicios en la nube) a desarrollar chips de IA especializados en gran escala, constituyen un doble motor para la demanda de HBM. La evolución de modelos de IA desde entrenamiento hacia inferencia y AI de agente, impulsa aún más la demanda continua de almacenamiento de alto rendimiento. En cuanto a la oferta, aunque los principales fabricantes Samsung, SK Hynix y Micron han dirigido el 70% de su capacidad adicional o ajustable a HBM, aún existe una brecha de capacidad del 50% al 60%. La desajuste entre oferta y demanda sustenta estructuralmente los altos precios de los productos HBM.

En esta superciclo, HBM ya no es un producto secundario en el ciclo tradicional de DRAM, sino un activo estratégico escaso que determina el rendimiento general de los sistemas de IA.

SK Hynix vs Samsung: la lucha por la cuota de mercado de HBM

Sobre la distribución de cuota en el segmento de HBM, diferentes instituciones muestran ligeras variaciones debido a diferentes metodologías estadísticas, pero la posición de liderazgo de SK Hynix se confirma en todos los datos.

Según TrendForce, en 2026, SK Hynix tendrá aproximadamente el 50% de participación en los bits producidos de HBM a nivel mundial, Samsung alrededor del 28%, y Micron cerca del 22%. La predicción de Counterpoint Research es aún más detallada, estimando que en 2026, SK Hynix tendrá aproximadamente un 54% de cuota en el mercado de HBM4, Samsung un 28% y Micron un 18%. Los datos del primer trimestre de 2026 del mercado global de HBM, según Visible Alpha, muestran que SK Hynix tiene aproximadamente un 51.4% de participación, Samsung un 21.2% y Micron un 27.4%. Otros análisis de mercado indican que SK Hynix posee el 61% del mercado global de HBM, Samsung el 17% y Micron el 21%.

A pesar de las diferencias en los datos, todos apuntan a la misma conclusión: SK Hynix domina absolutamente el mercado de HBM, mientras Samsung, en segundo lugar, aún tiene una diferencia significativa con el líder. Sin embargo, tras los obstáculos en la certificación HBM3E y en el ritmo de suministro, Samsung está acelerando su recuperación durante la ventana de HBM4/HBM4E.

En el mercado general de DRAM, Samsung mantiene su ventaja. En el primer trimestre de 2026, sus ingresos por DRAM alcanzaron 37.32 mil millones de dólares, un aumento del 93.4% respecto al trimestre anterior, con una cuota de mercado del 38.5%, liderando. SK Hynix reportó 27.98 mil millones de dólares, un crecimiento del 62.5%, con una cuota del 28.8%. Esta comparación muestra claramente que la capitalización de SK Hynix no se basa en una dominancia total en el mercado de DRAM, sino en su dominio absoluto en el segmento de alta rentabilidad de HBM, que genera una prima en la valoración.

Ruta tecnológica y competencia de capacidad: HBM4, el próximo punto decisivo

La iteración generacional de la tecnología HBM se acelera, y HBM4 se considera un nodo clave para definir la próxima fase de competencia.

Samsung avanza más rápido en la certificación de HBM4, con planes de completar la certificación en el segundo trimestre de 2026 y comenzar la producción en serie. La compañía planea aumentar la capacidad mensual de producción de chips DRAM de 1c a aproximadamente 150,000 piezas para finales de 2026, para la producción en masa de HBM4, además de construir una nueva línea avanzada de DRAM en Pyeongtaek P4, con una capacidad mensual de aproximadamente 120,000 obleas. Samsung también planea triplicar la producción total de HBM para 2026 respecto a 2025, con más de la mitad en HBM4. Las ventas de chips HBM4 de Samsung en los primeros cuatro meses superaron los 10 mil millones de dólares, y se espera que las ventas anuales superen los 100 mil millones.

Por su parte, SK Hynix impulsa activamente la producción en masa de HBM4 y HBM4E. El 18 de junio de 2026, anunció que ha suministrado muestras de su nueva generación de productos HBM4E a clientes principales. Su HBM4E apilado en 12 capas puede alcanzar velocidades de transmisión de hasta 16 Gbps por pin, con una eficiencia energética mejorada en más del 20% respecto a la generación anterior. La capacidad de su producto HBM4 en 16 capas alcanza los 48 GB, con un ancho de banda total que supera los 2 TB/s.

Es importante destacar que Samsung anunció a finales de mayo de 2026 que comenzaba a enviar muestras de HBM4E a clientes, con diseño apilado en 12 capas, utilizando proceso de 10 nm (1c DRAM) y combinando un chip lógico propio en proceso de 4 nm, logrando una mejora en rendimiento de más del 20% respecto a HBM4. Desde la entrega de muestras de HBM4 en febrero hasta el envío de muestras de HBM4E en mayo, Samsung tardó solo unos tres meses, demostrando su determinación de acelerar la recuperación.

En la cadena de suministro, el 8 de junio de 2026, Nvidia y SK Hynix anunciaron una asociación tecnológica de larga duración, para desarrollar conjuntamente la próxima generación de memoria AI y ampliar su suministro. Además, el CEO de Nvidia, Jensen Huang, confirmó que los tres principales fabricantes de memoria tienen la capacidad de suministrar chips HBM4 a Nvidia. Esto significa que, aunque SK Hynix ha establecido una relación estrecha con Nvidia en las eras HBM3/E, en la era HBM4, tanto Samsung como Micron también han obtenido la calificación para suministrar a Nvidia, intensificando la competencia entre las tres partes.

La reconfiguración de la lógica de valoración: de acciones cíclicas a acciones de crecimiento

El hecho de que SK Hynix supere en valor de mercado a Samsung Electronics no solo refleja un cambio en los resultados financieros de ambas compañías, sino que también simboliza una reconfiguración fundamental en la lógica de valoración del sector de chips de almacenamiento.

Desde el rendimiento del precio de las acciones, desde 2026, SK Hynix ha acumulado un aumento superior al 340%, mientras que Samsung Electronics ha subido aproximadamente un 200%. En el último año, SK Hynix ha registrado un aumento del 1024%, mucho más que el 498% de Samsung Electronics. Sin embargo, el 23 de junio, la volatilidad en el mercado surcoreano provocó una caída cercana al 10% en el índice KOSPI, y tanto SK Hynix como Samsung Electronics cerraron con caídas superiores al 12%. Esta volatilidad advierte a los inversores que, incluso en un ciclo de crecimiento estructural impulsado por IA, los riesgos a corto plazo siguen presentes.

En cuanto a los indicadores de valoración, el PER esperado para 2026 de SK Hynix y Samsung Electronics es de 7.82 y 7.80 veces, respectivamente, ambos claramente por debajo del 17.73 de Micron. El 22 de junio, Hanwha Investment & Securities elevó significativamente su objetivo de precio para SK Hynix de 1.63 millones de wones a 4.3 millones, usando un múltiplo de 10 veces el PER. Varias firmas de corretaje han ajustado al alza sus objetivos para SK Hynix en los últimos dos meses: SK Securities a 3 millones de wones, KB Securities también a 3 millones y pronosticando un margen operativo del 78.1% en 2026, Citibank a 3.1 millones y J.P. Morgan a 3 millones.

Nomura Securities afirmó en su informe: “Esto realmente no es igual que antes”, sugiriendo que la lógica de valoración del sector de almacenamiento está experimentando un cambio de paradigma, y que la prima de riesgo debería alinearse con TSMC, en lugar de seguir aplicando el marco de las acciones cíclicas tradicionales. La clave radica en que: la expansión de los acuerdos de suministro a largo plazo (LTA) y el aumento en la demanda de HBM han cambiado fundamentalmente la visibilidad de beneficios y la volatilidad del sector de chips de almacenamiento. Hanwha Investment & Securities estima que, incluso si el mercado de almacenamiento se desacelera, el margen operativo de SK Hynix se mantendrá por encima del 30%, frente a menos del 10% o incluso pérdidas en ciclos bajistas anteriores.

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El negocio de acciones de Gate cubre completamente los principales mercados de valores de EE. UU., Hong Kong y Corea, y hasta el 23 de junio de 2026, soporta más de 12,500 activos relacionados con acciones. En EE. UU., soporta más de 10,000 acciones y ETFs, cubriendo NYSE, Nasdaq y otros mercados principales; en Hong Kong, más de 1,500 activos, incluyendo la Bolsa de Hong Kong y el Growth Enterprise Market (GEM). En Corea, Gate ya ofrece servicios de negociación de acciones, permitiendo a los usuarios participar directamente en el mercado de capitales coreano mediante una cuenta unificada.

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Conclusión

El hecho de que SK Hynix supere en valor de mercado a Samsung Electronics por primera vez simboliza un evento emblemático en la transferencia de poder en la industria de semiconductores en la era de IA. Este salto histórico refleja la transición del mercado de HBM de un nicho a una tendencia dominante, la reconfiguración de la competencia por diferencias en rutas tecnológicas, y la transformación en la lógica de valoración del mercado hacia un paradigma de crecimiento en lugar de ciclo.

No obstante, la competencia aún no termina. La aceleración de Samsung en HBM4/HBM4E, la expansión de la cuota de mercado de Micron en HBM, y la diversificación en la cadena de suministro de Nvidia, indican que la próxima fase de esta guerra por el almacenamiento de IA será aún más intensa. Para los inversores, comprender la evolución tecnológica del mercado de HBM, la distribución de capacidad y la reconfiguración de la lógica de valoración, será fundamental para tomar decisiones racionales en esta transformación estructural.

La plataforma Gate, mediante la negociación de acciones en USDT, ofrece un canal de bajo umbral y alta eficiencia para que los usuarios de criptomonedas participen en la inversión en líderes globales de semiconductores. Tanto SK Hynix como Samsung Electronics, estos gigantes en la cadena de valor de IA y almacenamiento, merecen la atención y el análisis continuo de los inversores.