Roundhill і T-REX спільно випустили 2-кратний левериджований ETF на мікросхеми пам'яті $RAM , який 24 червня було зареєстровано на Cboe BZX, з базовим активом DRAM ETF. Того ж дня після закриття ринку Micron $MU оприлюднив найсильніший квартальний звіт в історії з виручкою $414,6 млрд та валовою маржею 84,9%.

DRAM ETF вийшов на ринок 2 квітня, за 10 торгових днів обсяг управління перевищив $1 млрд, а станом на 24 червня AUM становив понад $20 млрд, загальна прибутковість — 179,84%, що є найшвидшим зростанням серед усіх ETF в історії.

Портфель є висококонцентрованим: SK Hynix — близько 29%, Micron — близько 27%, Samsung — близько 21%, разом — близько 77%, і ці три компанії є єдиними світовими постачальниками HBM.

RAM перебалансовується щодня, щоб досягти 200% денної прибутковості DRAM. Чиста комісія — 1,25%, депозитарій — Citibank, наразі торгівля опціонами не підтримується. У проспекті Roundhill чітко попереджає, що фонд «не підходить для всіх інвесторів».

77% портфеля зосереджено в трьох акціях, плюс 2-кратний леверидж. Близько 49% базових активів DRAM ETF торгуються в Сеулі, а нічна волатильність корейських акцій концентрується під час відкриття американського ринку, і RAM подвоює цей геп.

23 червня KOSPI впав на 10%, DRAM ETF того дня втратив близько 14%, а якби RAM вже був на ринку, теоретичне одноденне падіння становило б майже 28%. Механізм щоденної ребалансировки левериджованих ETF також означає, що навіть якщо DRAM залишиться без змін на коливальному ринку, RAM зазнає збитків.

DRAM ETF наразі скоригувався приблизно на 16% від 52-тижневого максимуму. Використовуючи RAM, ви берете 2-кратний леверидж на актив з уже надзвичайно високою бетою. Якщо напрямок правильний, прибуток значний, але якщо ні, вікно для виходу може бути набагато вужчим, ніж очікувалося.