Navitas推出第5代SiC MOSFET技術，為下一代數據中心提供動力

Navitas Semiconductor（納斯達克：NVTS）已推出其最新一代矽碳（SiC）MOSFET技術，旨在應對人工智慧基礎設施和能源系統日益增長的電力轉換需求。該公司於2026年2月12日宣布推出第5代GeneSiC平台，標誌著高壓半導體性能的重大飛躍。這一新架構結合了尖端的溝槽輔助平面設計與增強的可靠性規格，使Navitas成為服務數據中心和電網基礎設施的MOSFET技術領域的關鍵玩家。

這一突破來得正值關鍵時刻，人工智慧數據中心和可再生能源設施需要更高效、更緊湊的電力電子設備，以應對不斷上升的運營需求。Navitas的更新版MOSFET平台通過其最先進的TAP架構，幫助行業專業人士在高要求應用中降低能耗和運營成本。

性能突破：35%更高效率的意義

第5代MOSFET技術在RDS,ON × QGD性能指標上較前一代1200V產品實現了35%的突破，徹底改變了系統設計師對電源階段優化的思路。這一進步直接帶來開關損耗的降低、器件運行更為冷卻，以及在不影響穩定性的情況下以更高頻率運作的能力。

該技術在QGD/QGS比值上再提升約25%，使閘極反應速度更快。結合平台的高閾值電壓（VGS,TH ≥ 3V）規格，新的MOSFET系列展現出對寄生點亮事件的卓越抗干擾能力。在高噪聲工業環境中，這一特性尤為重要，因為信號完整性直接影響系統可靠性。

第5代平台進一步優化了RDS(ON) × EOSS特性，並整合了專有的軟體體二極體技術。這一整合在高速切換周期中最小化電磁干擾（EMI），並確保平滑的換向，從系統層面提升穩定性，遠超單一MOSFET的性能範圍。

針對關鍵任務應用的可靠性標準提升

Navitas對此MOSFET系列進行了AEC-Plus認證測試，超越了汽車和工業可靠性行業標準。驗證內容包括：

• 延長的靜態測試，運行時間是傳統壓力測試（HTRB、HTGB、HTGB-R）的3倍
• 先進的動態可靠性測試，包括反向偏壓應力（DRB）和閘極切換應力（DGS），模擬實際快速切換任務
• 在長時間切換循環中測得最低VGS,TH偏移，確保長期效率性能可預測
• 在18V工作電壓和175°C結點溫度下，閘氧化層可靠性推算超過100萬年
• 在高海拔和連續運行環境中具有極低的故障率（FIT）

這些規格直接回應基礎設施運營商對半導體器件的可靠性需求，確保系統長年運行的穩定性與可預測性。

與GaN技術協同，覆蓋全功率半導體範疇

新一代SiC MOSFET與Navitas現有的超高壓產品（第四代GeneSiC平台，2300V和3300V系列）相輔相成，形成涵蓋多電壓範圍的完整產品組合。此策略使系統設計師能根據具體應用需求，選擇最適合的MOSFET技術——無論是基於GaN還是SiC——應用於人工智慧數據中心、電網基礎設施及工業電氣化系統。

Navitas的策略反映了公司超過30年的寬禁帶半導體技術專業積累。GaNFast系列持續提供快速電力傳輸和高密度，而不斷擴展的GeneSiC MOSFET產品線則專注於中壓應用，追求卓越的效率和長期可靠性。

市場影響與未來發展

Navitas的SiC業務副總裁兼總經理Paul Wheeler強調，公司致力於支持客戶突破下一代基礎設施的電力轉換界限：“我們第5代GeneSiC技術的重大技術進步，彰顯了Navitas在矽碳MOSFET領域提供行業領先性能與可靠性的承諾。”

Navitas計劃在未來幾個月內推出基於此第5代MOSFET平台的新產品。公司已發布一份關於溝槽輔助平面技術的詳細白皮書，供系統設計師下載，提供實施的技術指導。

擁有超過300項專利（已授權或待批）並被認證為全球首家碳中和（CarbonNeutral）半導體公司，Navitas持續在MOSFET和寬禁帶技術領域樹立創新標杆。