伯恩斯坦：DRAM 2027 将持续暴涨，每晶圆 HBM 多赚一倍，记忆体暴利时代才刚开始

伯恩斯坦 6 月 22 日报告：常规 DRAM 价格从 2025Q3 到 2026Q2 飙涨 4.5 倍，每晶圆收入已是 HBM 的两倍，预计 2027 年将继续上行。
（前情提要：美国九大产业联名上书特朗普政府：记忆体涨价与缺货快把我们逼死了）
（背景补充：SK 海力士、美光市值超越比特币！BTC 掉到全球第 19 大资产）

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• 常规 DRAM 每位元售价超越 HBM
• HBM 要追平常规 DRAM 还差三倍
• 台湾供应链受益，AI 成本压力同步上升

伯恩斯坦分析师在 6 月 22 日发布的最新报告中指出，常规 DRAM 记忆体价格在经历从 2025 年第三季到 2026 年第二季约 4.5 倍的飙涨后，2027 年可能继续上行。这意味着记忆体产业的“暴利回圈”尚未见顶，而常规产品实际上比 HBM 更赚钱。

常规 DRAM 每位元售价超越 HBM

伯恩斯坦指出，目前常规 DRAM 在单位位元平均售价上已与高带宽记忆体（HBM）相当，甚至可能更高。这代表 AI 芯片市场中最受关注的 HBM 产品，在单价上其实已被看似“传统”的常规 DRAM 追上。

根据该报告的估算，考虑到更高的位元密度与良率，2026 年常规 DRAM 每晶圆产能的收入可能是 HBM 的两倍，并享有明显更高的利润率。以 SK 海力士为例，HBM 占了约 23% 的晶圆用量，但剩下的 77% 仍由常规 DRAM 贡献，且每片晶圆的获利反而更高。

HBM 要追平常规 DRAM 还差三倍

伯恩斯坦给出一组直观的数字：HBM 价格需要再提升约三倍，才能在单位晶圆产能收入上追平常规 DRAM。这也解释了为何 AI 芯片市场的叙事集中在 HBM，但实际上常规记忆体才是记忆体大厂的利润主力。

该机构同时提醒，存储芯片厂商的定价策略并不会那么激进。他们清楚 HBM 成本过高可能拖累整体人工智能生态系统的发展，最终反过来抑制存储需求。伯恩斯坦在报告中写道，若三大厂同时拉高 HBM 与常规 DRAM 价格，AI 服务器成本将推升云端服务费率，间接增加科技巨头的资本支出。

台湾供应链受惠，AI 成本压力同步上升

常规 DRAM 的涨价潮直接影响台湾记忆体供应链——南科的晶圆厂与封测厂产能利用率已接近满载。美国九大产业近期已联名上书特朗普政府，指出记忆体涨价与缺货正在影响下游制造业的成本结构。SK 海力士与三星的赴美设厂进度也因此加速。

2025 年第三季到 2026 年第二季的 4.5 倍涨幅已经让记忆体产业进入类似的“暴利回圈”。三大厂同时推升 HBM 与常规 DRAM 价格，形成量价齐升的局面。若 2027 年继续上行，AI 训练与推理的硬件成本可能进一步上升，进而影响大模型的定价策略。