Производительность 4-дюймового VB GaAs богатого галлием достигает международного уровня

Данные Jinshi 20 февраля, корреспондент узнал из Института оптической и прецизионной механики Ханчжоу, что предприятие, выведенное Ханчжоу Гуангджи, добилось значительного прорыва в области роста кристаллов оксида галлия методом вертикального Бриджмана (VB). После тестирования качество монокристалла достигло международного уровня, и теперь предлагается на рынок оборудование и технологический пакет для роста кристаллов. Результаты тестирования показывают, что в 4-дюймовом VB-кристалле, выращенном на оборудовании от Fugajia, нет твинов, а ширина половины максимума полосы дифракции (FWHM) монокристаллического подложки XRD лучше 50arcsec, что эквивалентно качеству монокристаллического подложки оксида галлия, полученного методом Czochralski, а производительность соответствует международному уровню.